VCSEL mit verteilter R├╝ckkopplung in einer gechirpten D├╝nnschichtstruktur

M. Taimoor1, S. Reuter1, S. Henning1, M. Lotzgeselle1, H. Hillmer1, Th. Kusserow1 2
1 Institut f├╝r Nanostrukturtechnologie und Analytik/ CINSaT, Universit├Ąt Kassel; 2 Institut f├╝r Mikrowellentechnik und Photonik, TU Darmstadt
kusserow@ina.uni-kassel.de
 
Halbleiterlaser bzw. Mikrolaser werden bez├╝gliche ihrer Emissionsrichtung als Kantenemitter oder vertikale Oberfl├Ąchenemitter eingruppiert. Zur Frequenzselektion wird im allgemeinen eine periodische Struktur verwendet. Bei DFB Lasern ist dies ein Gitter mit Phasenversatz, im Fall eines VCSEL, eine sehr kurze Kavit├Ąt zwischen zwei DBR. Die hiermit verbundene, sehr starke Lokalisierung der Feldst├Ąrke des resonanten Modes bedingt, dass nur ein relativ kleines aktives Materialvolumen genutzt werden kann und es f├╝r h├Âhere Ausgangsleistungen zu Instabilit├Ąten der Laseremission kommt. F├╝r DFB Laser wurde die Verwendung von gechirpten Gittern untersucht, um diesen Effekt zu reduzieren. Wir stellen jetzt eine analoge Strategie f├╝r VCSEL Bauelemente vor. Diese basiert auf einer D├╝nnschichtstruktur mit alternierender Abfolge von zwei Materialien mit variierenden Schichtdicken. Die Variation wurde entworfen, um die resonante Kavit├Ąt ├╝ber den Schichtstapel zu verteilen und damit die Modenverteilung zu beeinflussen. Durch Strukturierung der Schichtstruktur als Ring, kann das innere Hohlvolumen mit einem aktiven Material gef├╝llt werden, dessen Emission an die Schichtstruktur des Rings koppelt.
Keywords:
Nanotechnologie, D├╝nne Schichten, Lasertechnik
kompletter Artikel   120_p41.pdf download Paper
120. Tagung, Poster: P41